英特尔或押注接合叉片式晶体管技术，将用于2nm芯片

英特尔公司可能会将目光重取而代之转回器件的新设计上，以便在2nm或以下等级的半导体器件技艺上使用。近期，一项重取而代之专利似乎指明了英特尔公司前进的方向，即“复合叉片式器件（stacked forksheet transistors）”关键技术，以保有摩尔定律前进的驱动力。专利并并未共享太多的细节，而且英特尔公司也并未共享PPA的改进数据资料作为详见。

英特尔公司表示，重取而代之器件新设计再度可以实现3D和向上复合的CMOS架构，与目前最先进的三闸极器件比起，该架构允许增加器件的为数。在专利里，英特尔公司描述了nm隙器件和锗薄膜的使用，后者将都是电介质围墙，在每个向上复合的器件层中重复，再度取决于有多少个器件被相互复合在一起。

英特尔公司早于在2019年就在IEDM社区活动上展示出了3D逻辑自带方面的研究课题，起初称为复合nm片器件关键技术。至于关的关键技术如何进一步提高器件密度、性能和能效的具体数据资料，英特尔公司至今都并未公开。

位于比利时的研究课题小组Imec在2019年曾宣布，开发新设计出第一个关的关键技术的标准单元模拟结果，揭示当用于2nm制程节点的时候，会比传统分析方法显著共享器件密度。其希冀于恒定速度下10%的速度提升或24%的能效提升，同时会有20%的单元面积增加。此外，静态随机存取存储器（SRAM）占用的空间将显著增加30%。

事实上，英特尔公司与Imec在nm电子学领域有着密切而长年的联系，后者的研究课题成果也是英特尔公司取而代之专利的基础。

【是从：超能网】